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Galliumindiumarsenidphosphid
(Indiumgalliumarsenidphosphid). Die Bezeichnung Galliumindiumarsenidphosphid bezeichnet eine Gruppe von Halbleitermaterialien der Zusammensetzung In1–xGaxAsyP1–y, die in der Literatur meist zur Klasse der „III-V quaterny semiconductor alloys“ gezählt werden, durch MOCVD- in Kombination mit Molekularstrahlepitaxie-Verfahren hergestellt werden und deren Bandlücke sich durch Anpassung des Indium/Gallium- und auch des Arsen/Phosphor-Verhältnisses so variieren läßt, daß Lichtemission vom nahen bis zum mittleren Infrarot (siehe